历任所长

邹世昌

  

  

 

  

  

  

  

   

  中国科学院院士,材料学家。19317月出生,江苏太仓人。1952年毕业于唐山交通大学冶金工程系,1954年赴苏留学,1958年在前苏联莫斯科有色金属学院获副博士学位。回国后一直在上海冶金所(现澳门微尼斯人娱乐)工作,历任离子束开放实验室主任、所长。先后担任离子注入和材料改性两个国际学术会议的国际委员会委员。曾受聘为德国慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所客座教授。1986年当选为中共上海市第五届委员会候补委员。1991年当选为中国科学院学部委员(院士)。1992年当选为中共第十四届中央委员会候补委员。现任澳门微尼斯人娱乐研究员,博士生导师,并任上海市集成电路行业协会会长、上海华虹 NEC电子有限公司副董事长。

  邹世昌在六十年代曾负责国防重点任务甲种分离膜(代号真空阀门)的加工成形工作,是成功研制甲种分离膜的第二发明人。七十年代以后在离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作,独创了用二氧化碳激光背面辐照获得离子注入损伤的增强退火效应,用全离子注入技术研制成我国第一块120门砷化镓门阵列电路,用反应离子束加工成我国第一批闪光全息光栅,研究SOI材料并制成CMOS/SOI电路,发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。

  邹世昌获国家发明一等奖和中国科学院自然科学、科技进步等14项奖励,发表文章200多篇,培养博士生30多名,2003年被评为上海浦东开发建设杰出人才,2008年被国际半导体设备材料协会SEMI授予中国半导体产业开拓奖。

  

 

  

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