高密度相变存储器

   根据国家纳米科技的战略部署和国内外纳米技术的发展动态,以高密度、高速、低功耗、高可靠性的相变存储器(PCRAM)和高纯度纳米磨料与抛光液为主要研究对象,力争开发出具有自主知识产权的PCRAM芯片和纳米磨料与抛光液;搭建12英寸专用研发工艺平台,研制出基于130/110/40/28 nm且具有市场竞争力的PCRAM芯片产品,建立批量生产的技术数据库,将自主PCRAM芯片推向产业化。 

   主要研究内容包括:

(1)    高密度独立式三维相变存储器(3D PCRAM)研究:高速低功耗相变材料与高速可逆相变机理、阈值转变选通管材料与非线性机理、3D PCRAM电路设计;

(2)    高可靠性嵌入式PCRAM研究:高数据保持力相变材料与机理、高稳定性多值存储研究、相变存储器神经形态关键技术研究;

(3)    PCRAM芯片设计、测试与应用: 130/110/40/28 nm电路设计、芯片工艺设计、自主测试平台及8/12英寸测试系统、芯片封装测试及应用。

(4)    12英寸PCRAM工艺开发:纳米填充、抛光、刻蚀等工艺开发;1D1R、纳米电极、介质包覆层等单项工艺开发;1T1R1D1R工艺集成与优化。

(5)    高纯纳米磨料和抛光液:电子级纳米磨料、硅片抛光液、蓝宝石抛光液、相变材料抛光液。

 

  

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